第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

贝茵凯成立于2022年5月，位于北京集成电路研发和总部基地，专注先进功率器件设计、开发、制造与相关产品集成。其核心产品为1.6微米Pitch的第七代硅基IGBT大功率芯片和碳化硅MOSFET功率芯片。贝茵凯创始团队在功率半导体领域深耕多年，拥有丰富的研发技术与产业资源。

据悉，贝茵凯“第七代大功率IGBT产品——12英寸晶圆”采用先进技术，优化和改进了传统IGBT制备工艺，对结构进行了创新与调整。贝茵凯以车规级芯片标准开发大芯片，相比按照传统工艺开发的芯片而言，可靠性可提升30%以上，并可适配各种恶劣工作场景。工业级应用领域也可享受到更高可靠性的车规级芯片。

(资料图片)

来源：集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察（重点企业或园区）

最新日程如下

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。

若您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎联系我们！（见文末）

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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）

中国大陆再生晶圆项目表（月度更新）

中国大陆8英寸晶圆厂项目表（月度更新）

中国大陆12英寸晶圆厂项目表（月度更新）

中国大陆半导体封测项目表（月度更新）

中国大陆电子特气项目表（月度更新）

中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）

中国大陆晶圆厂当月设备中标数据表（月度更新）

中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）

中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）

中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）

中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）

中国大陆半导体封测项目分布图（月度更新）

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